Tỉnh Hyogo ra mắt nguyên mẫu pin mặt trời perovskite
Ngày 6/10/2025
Một nguyên mẫu hình vuông 30cm đã được công bố tại hội nghị chuyên đề.
Vào ngày 26/9, Đại học Hyogo đã tổ chức "Hội nghị chuyên đề Đồng sáng tạo Giá trị 2025" tại Kobe, nơi các công ty khởi nghiệp từ trường đại học trình bày kết quả nghiên cứu. Trong số các bài thuyết trình, Kazuya Okamoto, Chủ tịch Viện Nghiên cứu Hóa học Tiên tiến (Kobe), đã giới thiệu nguyên mẫu pin mặt trời perovskite hình vuông 30cm và chiến lược kinh doanh hướng tới thương mại hóa.
Viện Nghiên cứu Hóa học Tiên tiến đang hướng tới việc thương mại hóa và sản xuất hàng loạt pin mặt trời perovskite dựa trên nghiên cứu của Giáo sư Shogo Ito, Khoa Kỹ thuật Sau đại học, Đại học Hyogo. Các pin này sử dụng chất nền thủy tinh và điện cực carbon xốp, giúp cải thiện độ bền—a thử thách lâu nay của pin mặt trời perovskite. Công ty cho biết đã phát triển công nghệ đảm bảo bảo hành 20 năm.
Cho đến nay, Nhật Bản chủ yếu phát triển các pin perovskite nhẹ, linh hoạt với chất nền màng thông qua Quỹ Đổi mới Xanh (GI) do Bộ Kinh tế, Thương mại và Công nghiệp dẫn dắt. Tuy nhiên, Viện Nghiên cứu Hóa học Tiên tiến sử dụng chất nền thủy tinh, khiến pin nặng như pin silicon tinh thể phổ biến hiện nay và ít linh hoạt.
Ông Okamoto giải thích: "Ở Nhật Bản, pin perovskite thường được nghĩ là màng mỏng và linh hoạt. Nhưng giảm chi phí sản xuất pin màng mỏng rất khó do vật liệu đắt đỏ. Phương pháp sử dụng chất nền thủy tinh và điện cực carbon không chỉ cải thiện độ bền mà còn giảm đáng kể chi phí sản xuất."
Pin perovskite màng mỏng thông thường sử dụng màng chắn khí và điện cực trong suốt ITO (indium tin oxide), đều đắt đỏ, và indium—a kim loại hiếm—có nguy cơ thiếu hụt trong tương lai.
Các pin của Viện nghiên cứu sử dụng chất nền thủy tinh dẫn điện FTO (oxit thiếc pha flo), lớp perovskite được tạo bằng phương pháp in lưới. Quy trình không cần chân không giúp giảm chi phí và dễ tái chế hơn so với pin silicon tinh thể.
Công ty dự kiến sản xuất mô-đun pin mặt trời bằng cách kết nối nhiều khối vuông 30cm. Ngoài việc thay thế pin silicon tinh thể phổ biến, họ còn hướng tới thương mại hóa vật liệu xây dựng tích hợp điện (BIPV) và xây dựng dây chuyền sản xuất hàng loạt vào năm 2030, với hiệu suất chuyển đổi ban đầu 20%, tăng lên 25% trong tương lai.
Ông Okamoto nói: "Khi bắt đầu sản xuất hàng loạt, chi phí sẽ cao hơn pin silicon tinh thể sản xuất tại Trung Quốc, nhưng nhờ khả năng tái chế, chúng tôi có thể đạt lợi thế cạnh tranh về chi phí trên toàn chuỗi cung ứng, kể cả sau khi sử dụng."
