Longi đạt hiệu suất 34,85% cho pin mặt trời perovskite song song hai đầu cuối
Kết quả đã được Phòng thí nghiệm năng lượng tái tạo quốc gia (NREL) của Bộ Năng lượng Hoa Kỳ xác nhận.
Ảnh: tạp chí pv
Nhà sản xuất mô-đun năng lượng mặt trời Trung Quốc Longi đã tiết lộ rằng họ đã đạt được hiệu suất chuyển đổi năng lượng là 34,85% cho pin mặt trời perovskite song song hai đầu cuối.
Phòng thí nghiệm năng lượng tái tạo quốc gia (NREL) của Bộ Năng lượng Hoa Kỳ đã chứng nhận kết quả này, đây là kỷ lục thế giới về loại pin này.
Kỷ lục trước đó do chính Longi nắm giữ, đạt hiệu suất 34,6% cho một thiết bị có cùng cấu hình vào tháng 9, khi nhà sản xuất công bố một bài báo khoa học mô tả chi tiết về thiết kế cell, ban đầu được công bố vào tháng 11 năm 2023.
Kết quả của Longi cũng là hiệu suất được chứng nhận đầu tiên vượt quá giới hạn Shockley-Queisser một mối nối là 33,7% đối với cell pin mặt trời song song hai mối nối.
Vào tháng 9, nhóm nghiên cứu của Longi giải thích rằng cell này dựa trên chiến lược thụ động hóa giao diện hai lớp được cho là tối đa hóa cả quá trình vận chuyển electron và chặn lỗ. Điều này đạt được thông qua việc kết hợp một lớp lithium fluoride (LiF) mỏng và lắng đọng các phân tử ethylenediammonium diiodide (EDAI) chuỗi ngắn.
Các nhà nghiên cứu cho biết vào thời điểm đó rằng "Lớp LiF dày hơn có thể giúp cải thiện quá trình thụ động hóa, nhưng đi kèm với tổn thất điện trở không mong muốn đáng kể". “Tuy nhiên, phân tử EDAI có thể thụ động hóa hóa học các vùng chưa thụ động không tiếp xúc với lớp LiF, tạo thành các tiếp xúc cục bộ ở quy mô nano tại giao diện perovskite/C60, có thể cung cấp sự cân bằng tối ưu giữa thụ động hóa và chiết xuất điện tích”.
Các nhà nghiên cứu cho biết thêm rằng họ có thể đạt được sự kết hợp cấu trúc “tốt hơn” giữa ô trên cùng perovskite và ô dưới cùng silicon tinh thể thông qua công nghệ được cấp bằng sáng chế dành cho ô mặt trời dị hợp silicon có bề mặt kết cấu không đối xứng. “Bề mặt trước của ô silicon này có bề mặt kết cấu mịn, tạo điều kiện thuận lợi cho việc chuẩn bị màng perovskite dạng dung dịch, trong khi bề mặt sau của ô silicon sử dụng bề mặt kết cấu kích thước lớn tiêu chuẩn để đạt được phản ứng thụ động hóa và quang phổ hồng ngoại tốt hơn”, họ tuyên bố.
Nhờ lớp kép LiF/EDAI chịu trách nhiệm tăng điện áp mạch hở và hệ số lấp đầy của thiết bị, đạt giá trị lần lượt là 1,97 V và 83,0%, vì nó ngăn chặn sự kết hợp giao diện kết hợp với việc trích xuất điện tích hiệu quả hơn tại giao diện lớp vận chuyển điện tử (ETL).
Công trình nghiên cứu nhận được sự hỗ trợ mạnh mẽ từ Đại học Tô Châu, Viện nghiên cứu năng lượng sạch Huaneng và Đại học Bách khoa Hồng Kông (HKPU).
