Lớp tái hợp đường hầm giúp tăng hiệu quả của pin mặt trời song song
của Zhang Nannan, Viện Hàn lâm Khoa học Trung Quốc
Perovskite/TOPCon TSC với lớp tái tổ hợp đường hầm poly-Si. Ảnh: NIMTE
Nhóm của Giáo sư Ye Jichun từ Viện Công nghệ và Kỹ thuật Vật liệu Ninh Ba (NIMTE) thuộc Viện Hàn lâm Khoa học Trung Quốc (CAS), cùng với các nhà nghiên cứu từ Đại học Soochow, đã phát triển lớp tái tổ hợp đường hầm silicon đa tinh thể cho tiếp xúc thụ động perovskite/đường hầm oxit ( TOPCon) pin mặt trời song song silicon (TSC), đã đạt được hiệu quả tuyệt vời và độ ổn định cao.
Nghiên cứu được công bố trên tạp chí Năng lượng thiên nhiên
Do lợi thế về mặt chi phí và hiệu quả cực cao về mặt lý thuyết, perovskite/silicon
Lớp tái tổ hợp, đóng vai trò là điểm tiếp xúc điện giữa các ô phụ trên và dưới, đóng một vai trò quan trọng trong quá trình nâng cao hiệu suất.
Trong nghiên cứu này, các nhà nghiên cứu đã phát triển một loại silicon đa tinh thể
So với lớp oxit dẫn điện trong suốt thông thường, lớp tái tổ hợp đường hầm mới này thể hiện khả năng hấp phụ mạnh hơn trên poly-Si(p+
Thiết bị song song mới được phát triển này đã đạt được hiệu suất chuyển đổi quang điện vượt trội là 29,2%, đây là một trong những giá trị cao nhất được báo cáo cho đến nay đối với TSC perovskite/TOPCon. Ngoài ra, thiết bị có thể giữ lại 85% hiệu suất ban đầu sau 500 giờ theo dõi điểm công suất tối đa liên tục, cho thấy độ ổn định cao.
Theo các nhà nghiên cứu, mô phỏng phần tử hữu hạn đã cung cấp cái nhìn sâu sắc hơn nữa về cơ chế vận chuyển sóng mang và đường hầm. Hơn nữa, các phân tích có liên quan cho thấy nồng độ pha tạp của poly-Si ảnh hưởng đến hiệu suất của TSC perovskite/silicon.
Nghiên cứu này có thể làm sáng tỏ sự phát triển và công nghiệp hóa hơn nữa của TSC perovskite/silicon hiệu quả cao và các thiết bị song song liên quan.
