Softbank, Longi phát triển các mô-đun năng lượng mặt trời heterojunction 665 g/m2 với hiệu suất 22,2%
Các nhà nghiên cứu từ hai công ty đã chế tạo một tấm pin mặt trời heterojunction (HJT) silicon nhẹ và linh hoạt có kích thước 563 mm x 584 mm và chỉ nặng 218,5 g.
Ảnh: Softbank
Công ty cổ phần đầu tư Nhật Bản Softbank đang phát triển nhiều công nghệ khác nhau cho trạm nền tảng cao độ siêu nhẹ (HAPS) theo kế hoạch của mình, một máy bay chạy bằng năng lượng mặt trời được thiết kế để hoạt động ở độ cao 20 km so với bề mặt trái đất, chở theo các trạm gốc viễn thông làm tải trọng.
Một trong những dự án nghiên cứu của công ty đã hoàn thành vào tháng 3 năm nay nhắm đến một tấm pin mặt trời silicon có trọng lượng dưới 700 g/m2, lấy cảm hứng từ các mô-đun PV silicon hiệu suất cao được sử dụng trong cuộc đua xe năng lượng mặt trời. Nó đã được mô tả trong một bài báo về R&D, “Thách thức của các mô-đun năng lượng mặt trời siêu nhẹ dành cho HAPS”, được đăng trên trang web của Softbank.
Trong bài báo, nhóm nghiên cứu giải thích lý do họ theo đuổi công nghệ PV silicon, "Pin mặt trời nhẹ nhất và hiệu quả nhất hiện có là pin mặt trời hợp chất cho các ứng dụng không gian, nhưng nó đắt tiền và mất nhiều thời gian để sản xuất", báo cáo nêu. "Vì lý do này, chúng tôi đã chọn các pin silicon tinh thể hiệu suất cao, có giá khoảng 1/1000".
Dự án có sự tham gia của Fujipream Corporation có trụ sở tại Nhật Bản và nhà sản xuất mô-đun Trung Quốc Longi, đã đạt được tấm pin silicon heterojunction 665g/m2, thậm chí còn nhẹ hơn mục tiêu 700 g/m2 của dự án.
Được chế tạo bằng công nghệ pin từ Longi, công nghệ HJT 80 µm tương tự được sử dụng để chế tạo một pin phá kỷ lục được công bố vào năm 2022, các mô-đun được đóng gói có kích thước 563 mm x 584 mm và nặng 218,5 g. Công suất đầu ra tối đa là 71,1 W được đo theo phổ chuẩn AM 1.5 cho hiệu suất mô-đun là 22,2% trên diện tích hiệu dụng.
Để đạt được trọng lượng mục tiêu, tất cả các vật liệu đều mỏng hơn nhiều so với các tấm pin thông thường. Nắp trước, các ô, chất đóng gói và tấm nền lần lượt có kích thước là 25 µm, 80 µm, 150 µm và 50 µm.
Các kết nối ở kích thước này là một thách thức. Các nhà nghiên cứu cho biết: "Dây đồng mỏng có đường kính 250 µm đã được chọn cho các kết nối trực tiếp giữa các ô, được kết nối bằng chất hàn có điểm nóng chảy thấp", lưu ý rằng nó sử dụng quy trình thủ công.
Nghiên cứu sâu hơn đang được lên kế hoạch hướng tới mục tiêu 500 g/㎡. “Để đạt được mục tiêu này, chúng tôi sẽ tiếp tục phát triển các mô-đun với mục đích làm cho từng thành phần của mô-đun mỏng hơn và hiệu suất cao hơn, cũng như cải thiện công nghệ đi dây và cán mỏng”, các nhà nghiên cứu cho biết
Thật vậy, người phát ngôn của Softbank đã xác nhận với tạp chí pv rằng một dự án mới đang được tiến hành. “Nhà sản xuất mô-đun năng lượng mặt trời Fujipream Corporation là đối tác của chúng tôi cho dự án nghiên cứu này”, họ cho biết thêm rằng họ không giới hạn mình vào một nhà sản xuất pin mặt trời cụ thể nào cho công việc này.
Softbank đã hợp tác với các đối tác bên ngoài từ ngành công nghiệp và học viện kể từ năm 2017 để giải quyết các thách thức về công nghệ trên con đường đạt được các mục tiêu HAPS của mình. Ví dụ, trong tháng này, công ty đã công bố thử nghiệm thực địa lần thứ hai thành công đối với máy bay Sunglider HAPS của mình với công ty công nghệ hàng không vũ trụ và quốc phòng Hoa Kỳ AeroVironment tại tiểu bang New Mexico của Hoa Kỳ.
Xuất hiện tế bào dị hợp silicon siêu mỏng
Ảnh: Softbank
Mời các đối tác xem hoạt động của Công ty TNHH Pacific Group.
FanPage: https://www.facebook.com/Pacific-Group
YouTube: https://www.youtube.com/@PacificGroupCoLt
